广州白云区升降车出租,   广州升降车出租,  白云区升降车出租     拓扑绝缘体制备方法 ???       三维拓扑绝缘体样品的制备方法目前主要有以下常用的几种：１、化学气相沉积.   ２、分子束外延及脉冲激光沉积。３、溶剂合成法。４、高温馆融及机械剥离等等。

     １化学气相沉积,  化学气相沉积是一种制备高质量拓扑绝缘体纳米结构的常用手段，要是通过气－液－固（ＶＬＳ）机制和气－固（ＶＳ）机制引导的。ＶＬＳ生长机制需要催化剂的协助。催化剂的尺寸的大小决定了晶体的直径尺寸。而对于ＶＳ机制，由于没有催化剂，影响晶体生长的核心因素是气相过饱和度。它决定着晶体生长的主要形态。化学气相沉积优点突出：生长速度快，工艺简单，操作方便，纳米结构多样化，而且可以获得非层状材料的低维结构。２００９年，报道了在化学气相沉积合成的拓扑绝缘体单晶纳米线中发现了表面态输运的重要证据。２０１０年，报道了多种形貌的高质量拓扑绝缘体单晶纳米材料的合成和表征。化学气相沉积还有一个好处就是可以生长非层状材料纳米结构，比如拓扑晶态绝缘体ＳｎＴｅ，狄拉克半金属Ｃｄ３Ａｓ２。

      ２分子束外延分子束外延是高真空和超高真空下单晶薄膜沉积的一种外延方法。外延是指在一定的单晶衬底上，沿衬底某一晶面生长单晶薄膜。分子束外延的沉积速率可以控制得很慢（通常小于每小时３０００ｎｍ），有利于高质量薄膜的生长。２００９年，通过分子束外延技术生长高质量的拓扑绝缘体薄膜。此后出现了更多的分子束外延生长拓扑绝缘体薄膜的工作。此外，脉冲激光沉积，也可以制备拓扑绝缘体薄膜，多以多晶薄膜为主。

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     ３溶剂热合成法,  溶剂热合成法是将一种或者多种前体溶解到低温或者低压有机试剂中，相互反应，形成目标化合物。通过改变反应温度，时间，溶剂类型，和前体类型可以精确控制纳米结构尺寸、形状分布和结晶度。溶剂热合成法可以用来合成高质量的拓扑绝缘体纳米材料，形貌可控，且可以进行元素掺杂。２０１５年，使用了两步溶剂热合成法制备Ｓｂ２Ｔｅ３／Ｂｉ２Ｔｅ３的横向异质结。透射电子显微镜显示这两种材料的界面是非常清晰的。Ｓｂ和Ｂｉ层形成了良好的界面，表明了Ｓｂ２Ｔｅ３／Ｂｉ２Ｔｅ３横向异质结具有很高的晶体质量。

      ４高温熔融,  通常首先将高纯的单质粉末按摩尔比研磨均匀，密封在石英管中。将石英管置于高温炉中熔融退火，最后降至室温。高温熔融能够很容易生长出大块宏观的拓扑绝缘体单晶。获得的宏观块材继续通过手术刀机械切割得到平整的毫米级别的样品。厚度大概是几十微米量级。机械剥离是一个获得二维纳米片普适的方法，成功适用于二维的石墨烯，氮化硼，过渡金属硫化物，也适用于拓扑绝缘体纳米片。由于层与层之间是通过弱的范德瓦尔斯里叠起来的，薄的纳米结构通过胶带、ＡＦＭ针尖从层状的高质量块材剥离获得。剥离出来的拓扑绝缘体纳米片提供了很洁净最原始的表面，有利于结构表征和输运测量。在机械剥离的３ｎｍ厚度的Ｂｉ２Ｓｅ３上制备了场效应晶体管，展现了很好的开关态。研究了剥离的拓扑绝缘体样品的拉曼谱。机械剥离制备的方法很简单，成本低，实验室极易操作。

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